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1PMT5934BT3

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    1PMT5934BT3G

    1PMT5934BT3G

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

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    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

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  • 制造商
  • ONSEMI
  • 制造商全稱
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package
1PMT5934BT3 技術參數
  • 1PMT5934BT1G 功能描述:DIODE ZENER 24V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 18.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5934BT1 功能描述:DIODE ZENER 24V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 18.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:10 1PMT5934BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 24V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 18.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5934BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 24V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 18.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5934B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 24V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):24V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 18.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5935A/TR7 1PMT5935AE3/TR13 1PMT5935AE3/TR7 1PMT5935B/TR13 1PMT5935B/TR7 1PMT5935BE3/TR13 1PMT5935BE3/TR7 1PMT5935BT1 1PMT5935BT1G 1PMT5935C/TR13 1PMT5935C/TR7 1PMT5935CE3/TR13 1PMT5935CE3/TR7 1PMT5935E3/TR13 1PMT5935E3/TR7 1PMT5936/TR13 1PMT5936/TR7 1PMT5936A/TR13
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