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1SR82-200

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1SR82-200 技術參數(shù)

1SR159-200TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1,500 1SR156-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 800mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-600TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-400TE25A 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SR154-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:PMDS 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS06-12.0 1SS08-08.0 1SS08-15.0 1SS09-09.5 1SS09-10.4 1SS09-15.0 1SS09-16.0 1SS09-19.0 1SS09-22.5 1SS133M R0G 1SS133T-72 1SS133T-77 1SS181,LF 1SS181S,LF(D 1SS181-TP 1SS184,LF 1SS184S,LF(D 1SS184-TP