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1SS367(TH3,F,T)

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

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  • TOSHIBA

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1SS367(TH3,F,T) 技術參數
  • 1SS366-TB-E 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 35MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:肖特基 - 1 對串聯 電壓 - 峰值反向(最大值):10V 電流 - 最大值:35mA 不同?Vr,F 時的電容:0.85pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:- 功率耗散(最大值):- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 1SS362TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:1 對串聯 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):80mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1SS362FV,L3F 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:1 對串聯 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 1SS361UDJ-7 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT963 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):250mA(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.23V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-963 供應商器件封裝:SOT-963 標準包裝:1 1SS361LPH4-7B 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 時的電容:3pF @ 0V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN1006-2 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS383(TE85L,F) 1SS383T1G 1SS384TE85LF 1SS387,L3F 1SS387CT,L3F 1SS388-TP 1SS389,H3F 1SS389,L3F 1SS389-G 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF
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