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2N2906E-RTK/PSM

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2N2906E-RTK/PSM 技術參數
  • 2N2906AUB 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N2906AUA 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,無引線 供應商器件封裝:4-SMD 標準包裝:1 2N2906AL 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18(TO-206AA) 標準包裝:1 2N2906A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N2906 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1.8W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N2915 2N2915A 2N2916 2N2916A 2N2917 2N2918 2N2919 2N2919A 2N2919L 2N2919U 2N2920 2N2920A 2N2920L 2N2920U 2N2924 2N2925 2N2944AUB 2N2945A
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