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2N2945(A)

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2N2945(A) 技術參數

2N2944AUB 功能描述:TRANS PNP 10V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，500mV 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N2925 功能描述:TRANS NPN 25V TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N2924 功能描述:TRANS NPN 25V TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:160MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N2920U 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，無引線供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:1 2N2920L 功能描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 100μA，1mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N3053A 2N3055 2N3055AG 2N3055G 2N3055H 2N3055HG 2N3057A 2N3108 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2