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2N305+5

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2N305+5 技術參數

2N3019S 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3019 功能描述:TRANS NPN 80V 1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3014 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AC，TO-52-3，金屬罐供應商器件封裝:TO-52-3 基本零件編號:2N3014 標準包裝:250 2N3013 功能描述:NPN HS MED PWR SWITCH 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:300nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，400mV 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:350MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 基本零件編號:2N3013 標準包裝:250 2N2946AUB 功能描述:TRANS PNP 35V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1mA，500mV 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N3117 2N3250 2N3250A 2N3251A 2N3251AUB 2N3253 2N333 2N333A 2N333ALT2 2N333AT2 2N333LT2 2N333T2 2N335 2N335A 2N335ALT2 2N335AT2 2N335LT2 2N335T2