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2N3491

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2N3491
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-211MA
23+
-
微芯專營優勢產品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 80V 7.5A 3PIN TO-61 - Bulk

2N3491 技術參數

2N3486A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46-3 標準包裝:1 2N3486 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3485A 功能描述:TRANS PNP 60V 0.6A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46（TO-206AB）標準包裝:1 2N3469 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3468L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4 2N3507L 2N3507U4 2N3583 2N3584 2N3585 2N3634 2N3634L 2N3634UB 2N3635 2N3635L 2N3635UB 2N3636