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2N383

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N3838
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
6-FlatPack
23+
-
微芯專營優勢產品

2N3839
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
ON
CAN
22+
-
全新原裝現貨供應

2N383
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9331
MOT
CAN
12+
-
絕對公司原裝現貨

2N3830
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
MOTOROLA
CAN
-
假一罰十，百分百原裝正品

2N3830
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
MOT
CAN
15+
-
原裝正品，假一罰十

2N3838
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
alloy-junction germanium transistors

2N383 技術參數

2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:* 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:8V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:* 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:300μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:8V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:32pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:300mA @ 10V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:8V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 2N3879 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z