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2N3866AJX

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  • 制造商
  • Semicoa Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 30V 0.4A 3-Pin TO-39
2N3866AJX 技術參數
  • 2N3866A 功能描述:RF Transistor NPN 30V 400mA 400MHz 1W Through Hole TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:400MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N3866 功能描述:TRANS RF NPN 30V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:5W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N3859A_D75Z 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N3859A 功能描述:TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,1V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-扁平封裝 供應商器件封裝:6 扁平封裝 標準包裝:1 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z 2N3904-AP 2N3904BU 2N3904CBU 2N3904CTA
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