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2N4920G.

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2N4920G.
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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2N4920G. 技術參數

2N4920G 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4919G 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4919 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4918G 功能描述:TRANS PNP 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4918 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:1,000 2N4939 2N4953 2N4953_D26Z 2N4957 2N4957UB 2N497 2N498 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 2N5004 2N5005 2N5010 2N5011 2N5031 2N5038G 2N5039