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2N4923.

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN TO-126
2N4923. 技術參數
  • 2N4923 功能描述:TRANS NPN 80V 1A TO-126 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:1,000 2N4922G 功能描述:TRANS NPN 60V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4921G 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4921 功能描述:TRANS NPN 40V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4920G 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N4957UB 2N497 2N498 2N5000 2N5001 2N5002 2N5003 2N5004 2N5005 2N5010 2N5011 2N5031 2N5038G 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058
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