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2N496/18

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2N496/18 技術參數

2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N4953_D26Z 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N4953 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N4939 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N5011 2N5031 2N5038G 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058 2N5060 2N5060G 2N5060RLRAG 2N5060RLRM 2N5060RLRMG 2N5061 2N5061G 2N5061RLRA 2N5061RLRAG 2N5062