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2N5000

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • -

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 2N5000
    2N5000

    2N5000

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

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  • 全新原裝100%正品保證質量

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT NPN 80V 2A 3PIN TO-59 - Bulk
2N5000 技術參數
  • 2N498 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N497 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N4953_D26Z 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058 2N5060 2N5060G 2N5060RLRAG 2N5060RLRM 2N5060RLRMG 2N5061 2N5061G 2N5061RLRA 2N5061RLRAG 2N5062 2N5062G 2N5062RLRA 2N5062RLRAG
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