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2N5190G.

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2N5190G.
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ON
TO-126
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2N5190G. 技術(shù)參數(shù)

2N5190G 功能描述:TRANS NPN 40V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5190 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5179 功能描述:TRANS NPN 12V 0.05A TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:2GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 200MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N5172_D75Z 功能描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5172_D74Z 功能描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5195 2N5195 SL H 2N5195G 2N5204 2N5209 2N5210 2N5210_D81Z 2N5210_J05Z 2N5210_S00Z 2N5210BU 2N5210NMBU 2N5210TA 2N5210TAR 2N5210TF 2N5210TFR 2N5224 2N5226 2N5232A