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2N5444

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N5444
    2N5444

    2N5444

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • MOTOROLA

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2N5444
    2N5444

    2N5444

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-48,Stud

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2N5444
    2N5444

    2N5444

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • RCA

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2N5444
    2N5444

    2N5444

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • RCA

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
2N5444 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • TO 48 40 Amp Triac
2N5444 技術參數
  • 2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):150mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):4V @ 3nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 0V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AC,TO-52-3,金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA
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