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2N5461_D26Z

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N5461_D26Z
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world， A棟2203A
3366
onsemi
TO-226-3, TO-92-3 (T
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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1

您是不是要找： 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484

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功能描述
JFET P-Channel Transistor General Purpose
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5461_D26Z 技術參數(shù)

2N5461 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5460G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:1,000 2N5460_L99Z 功能描述:IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 135°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92（TO-226）標準包裝:2,000 2N5460_D75Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5460_D74Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z 2N5484_D74Z 2N5485 2N5485_D26Z 2N5485_D27Z 2N5485_D74Z 2N5485_D75Z 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01