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2N5476

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

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2N5476 技術參數
  • 2N5462G 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:1,000 2N5462_D27Z 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5462 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1.8V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5461RLRAG 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5461RLRA 功能描述:JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z 2N5486G 2N5486RLRP 2N5486RLRPG 2N5545JTX01 2N5545JTXL01 2N5545JTXV01 2N5546JTX01 2N5546JTXL01 2N5546JTXV01 2N5547JTX01 2N5547JTXL01 2N5547JTXV01 2N5550 2N5550_D26Z
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