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2N5549

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 60MA I(DSS) | TO-18
2N5549 技術參數
  • 2N5547JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5547JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5547JTX01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N5546JTXV01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5546JTXL01 功能描述:JFET N-CH 50V TO-71 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):- 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-71-6 供應商器件封裝:TO-71 功率 - 最大值:- 標準包裝:20 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TF 2N5550TFR 2N5551 2N5551,116 2N5551,412 2N5551_J05Z 2N5551_J18Z 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA
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