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2N5867G.

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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2N5867G. 技術參數
  • 2N5840 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N5839 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N5838 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N5830_D26Z 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5830 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5879 2N5880 2N5881 2N5882 2N5883 2N5883G 2N5884 2N5884G 2N5885 2N5885G 2N5886 2N5886G 2N5912 2N5950 2N5950_J18Z 2N5950_J35Z 2N5951 2N5951_D27Z
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