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2N6071A_06

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  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

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  • 制造商
  • ONSEMI
  • 制造商全稱
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6071A_06 技術參數
  • 2N6059 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6058 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6055 功能描述:TRANS NPN 60V 8A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 4A,3V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6052G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 120mA,12A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 6A,3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N6052 功能描述:TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 120mA,12A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):750 @ 6A,3V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123 2N6191 2N6192 2N6193 2N6193U3 2N6212 2N6213
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