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2N619I

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2N619I 技術參數

2N6193U3 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6193 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 2A，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39（TO-205AD）標準包裝:1 2N6192 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6191 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N6123 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:2.5MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6235 2N6249 2N6249T1 2N6250 2N6251 2N6251T1 2N6274 2N6275 2N6276 2N6277 2N6278 2N6279 2N6280 2N6281 2N6284 2N6284G 2N6286 2N6286G