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2N6389

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

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  • 原裝正品,假一罰十

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2N6389 技術參數
  • 2N6388G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6388 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:盒 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:65W 頻率 - 躍遷:20MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:400 2N6387G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6387 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 100mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6384 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N6400G 2N6401 2N6401G 2N6402G 2N6403G 2N6403TG 2N6404G 2N6405G 2N6426 2N6426_D26Z 2N6426_D74Z 2N6426G 2N6426RLRA 2N6426RLRAG 2N6427 2N6427_D26Z 2N6427_D27Z 2N6427_D75Z
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