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2N687

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N687
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
IR
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

2N687
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
IR
DO-5
22+
-
全新原裝現貨供應

2N687
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-48，TO-208AA
25+
-
國產品牌，替代進口

2N687
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

2N687A
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
TRANSISTORS
標準封裝
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

2N687
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Central Semiconductor
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

2N687
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
26550
IR
正品封裝
23+
-
正規商現貨供應

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1

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功能描述
SCR 300V 25A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大轉折電流 IBO
480 A
額定重復關閉狀態電壓 VDRM
600 V
關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
開啟狀態 RMS 電流 (It RMS)
正向電壓下降
1.6 V
柵觸發電壓 (Vgt)
1.3 V
最大柵極峰值反向電壓
5 V
柵觸發電流 (Igt)
35 mA
保持電流（Ih 最大值）
75 mA
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube

2N687 技術參數

2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 4.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA（TO-3）標準包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG