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2N689

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

2N689
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
IR
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

2N689
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
IR
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

2N689
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-48，TO-208AA
25+
-
國產品牌，替代進口

2N689
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
IR/MOTO
TO-48
22+
-
全新原裝現貨供應

2N6896
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
885000
YXYBDT臺灣
TO-3
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

2N6898
北京杰創宏達電子有限公司
北京杰創宏達電子有限公司
聯系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室
資質：營業執照
2220
RCA SOLID STATE
原廠原裝
25+
-
授權代理商

2N6895
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
HARRIS
99+
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

2N6895
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
8566
HARRIS
CAN
15+
-
絕對公司原裝現貨

2N689
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
55834
Central Semiconductor Cor
TO-208AA, TO-48-3, S
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

2N6895
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
HARRIS
CAN3
15+
-
原裝正品，假一罰十

1/1頁 40條/頁共29條
1

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功能描述
SCR 500V 25A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大轉折電流 IBO
480 A
額定重復關閉狀態電壓 VDRM
600 V
關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
開啟狀態 RMS 電流 (It RMS)
正向電壓下降
1.6 V
柵觸發電壓 (Vgt)
1.3 V
最大柵極峰值反向電壓
5 V
柵觸發電流 (Igt)
35 mA
保持電流（Ih 最大值）
75 mA
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube

2N689 技術參數

2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 4.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-204AA（TO-3）標準包裝:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG

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