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2N7000K

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  • 2N7000K
    2N7000K

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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 50000

  • KODENSHI AUK

  • SO-23

  • 20+

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  • 代理AUK場效應管N-ch 60V 0....

  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

    2N7000KL-TR1-E3

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • VISHAY

  • TO-92

  • 22+

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  • 全新原裝現貨供應

  • 2N7000KL
    2N7000KL

    2N7000KL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • VISHAY

  • TO-92

  • 最新批號

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  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

    2N7000KL-TR1-E3

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 20000

  • SI

  • 原裝正品

  • 14+

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  • 全新原裝,進口現貨,準時交貨,量大優惠

  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

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  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人:

    電話:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大廈B座907

  • 100

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  • 制造商
  • KEC
  • 制造商全稱
  • KEC(Korea Electronics)
  • 功能描述
  • N Channel MOSFET ESD Protected 2000V
2N7000K 技術參數
  • 2N7000-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Tj) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115
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