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2N7639-GA

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2N7639-GA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 15A 225Degree C
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N7639-GA 技術參數
  • 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc)(158°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7635-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 4A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):324pF @ 35V 功率 - 最大值:47W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:4 個 P 通道 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):750mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:MO-036AB 標準包裝:1 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA
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