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2NBS16-RG2-512

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說明
操作

2NBS16-RG2-512
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
3500
SOP
-
現貨庫存Q

2NBS16-RG2-512
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
SOP
04+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70

2NBS16-RG2-512 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2NBS16-RG2-512 技術參數

2N9C 功能描述:SPIRALWRAP .250''DIAMETER,100FT/ 制造商:hellermanntyton 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 2N930UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N930A 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N930 功能描述:TRANS NPN 45V 0.03A TO18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10μA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18（TO-206AA）標準包裝:1 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA 2P1216 2P1298 2P1384 2P1419