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2SA1312-BL(TE85LF)

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2SA1312-BL(TE85LF) 技術參數

2SA1312-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SA1309ASA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:290 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309ARA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:210 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309AQA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1309A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SA1382,T6MIBF(J 2SA1386 2SA1386A 2SA1407E 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H 2SA1419T-TD-E 2SA1419T-TD-H 2SA1425-Y,T2F(J 2SA1428-O,T2CLAF(J 2SA1428-O,T2CLAF(M 2SA1428-O,T2WNLF(J