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2SA1426YTP

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2SA1426YTP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SA1426YTP 技術參數

2SA1425-Y,T2F(J 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 2SA1419T-TD-H 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SA1419T-TD-E 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SA1419S-TD-H 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SA1419S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SA1488A 2SA1492 2SA1493 2SA1494 2SA1507S 2SA1507T 2SA1514KT146R 2SA1514KT146S 2SA1515STPQ 2SA1515STPR 2SA15320CL 2SA1534ARA 2SA1534ASA 2SA1535AR 2SA1552S-E 2SA1552S-H 2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-H