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2SA1586-Y(TE85L/R)

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2SA1586-Y(TE85L/R) 技術參數

2SA1586SU-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1586SU-GR,LF(D 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:3,000 2SA1586SU-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1586-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SA1585STPR 功能描述:TRANS PNP 20V 2A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:240MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA1593T-TL-E 2SA1618-GR(TE85L,F 2SA1618-Y(TE85L,F) 2SA1619ARA 2SA1619ASA 2SA1667 2SA1668 2SA1669-TB-E 2SA1673 2SA16740SA 2SA1680(F,M) 2SA1680(T6DNSO,F,M 2SA1680,F(J 2SA1680,T6ASTIF(J 2SA1680,T6F(J 2SA1680,T6SCMDF(J 2SA1693 2SA1694