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2SA1779ARR

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2SA1779ARR 技術參數

2SA1778-3-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 50MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 400MHz 增益:13dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SA1776TV2Q 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SA1776TV2P 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SA1774TLS 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416 TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SA1774TLR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SA1812T100Q 2SA1815-4-TB-E 2SA1827S-AY 2SA1832-GR,LF 2SA1832-Y,LF 2SA1834TLR 2SA1834TLS 2SA1837(F,M) 2SA1837(LBSAN,F,M) 2SA1837(PAIO,F,M) 2SA1837,F(J 2SA1837,HFEMBJF(J 2SA1837,HFEYHF(J 2SA1837,HFEYHF(M 2SA1837,NSEIKIF(J 2SA1837,S1CSF(J 2SA1837,TOA1F(J 2SA1837,WNLF(J