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2SA1971(TE12L,F)

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
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  • 2SA1971(TE12L,F)
    2SA1971(TE12L,F)

    2SA1971(TE12L,F)

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人:鄭女士

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區佳和大廈B座1010

    資質:營業執照

  • 12420

  • TOSHIBA

  • PW-Mini

  • 2025+

  • -
  • 2SA1971(TE12L,F)
    2SA1971(TE12L,F)

    2SA1971(TE12L,F)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 37999

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-243AA

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2SA1971(TE12L,F)
    2SA1971(TE12L,F)

    2SA1971(TE12L,F)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 15498

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-243AA

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 2SA1971(TE12L,F)
    2SA1971(TE12L,F)

    2SA1971(TE12L,F)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 48709

  • Toshiba

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
2SA1971(TE12L,F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Toshiba
  • 功能描述
  • PNP
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini
2SA1971(TE12L,F) 技術參數
  • 2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):17A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 800mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q
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