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2SA1979YAT

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  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

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2SA1979YAT 技術參數
  • 2SA1978-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L
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