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2SB1120G-TD/BC

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  • 2SB1120G-TD/BC
    2SB1120G-TD/BC

    2SB1120G-TD/BC

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • SANYO

  • 原廠封裝

  • 2011

  • -
  • 2SB1120G-TD/BC
    2SB1120G-TD/BC

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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2SB1120G-TD/BC 技術參數
  • 2SB10730RL 功能描述:TRANS PNP 20V 4A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2A,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:迷你型P3-F1 標準包裝:1 2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-A1 標準包裝:100 2SB10540P 功能描述:TRANS PNP 100V 5A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 300mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SB1030ARA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SB1030A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):85 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SB1124T-TD-H 2SB1132T100P 2SB1132T100Q 2SB1132T100R 2SB1143S 2SB1143T 2SB11540Q 2SB11560P 2SB1181TLP 2SB1181TLQ 2SB1181TLR 2SB1182TLQ 2SB1182TLR 2SB1183TL 2SB1184TLP 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE
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