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2SB1142T.

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2SB1142T. 技術參數
  • 2SB1132T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1132T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1132T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SB1124T-TD-H 功能描述:TRANS PNP 50V 3A PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1,000 2SB1124T-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SB1183TL 2SB1184TLP 2SB1184TLQ 2SB1184TLR 2SB1186AE 2SB1188T100P 2SB1188T100Q 2SB1188T100R 2SB1189T100Q 2SB1189T100R 2SB1197KT146Q 2SB1197KT146R 2SB1198KT146Q 2SB1198KT146R 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E
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