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2SB1285

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    2SB1285

    2SB1285

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SHINDENGE

  • TO-247

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SB1285
    2SB1285

    2SB1285

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 2SB1285
    2SB1285

    2SB1285

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • SHINDENGEN

  • TO-3P

  • 三極管系列

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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2SB1285 技術參數
  • 2SB1275TLP 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SB1274S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SB1274R 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SB1260T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1260T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA
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