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2SB1326TV2QCT

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2SB1326TV2QCT 技術參數

2SB1326TV2Q 功能描述:TRANS PNP 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SB1322A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-2-A1 標準包裝:1 2SB1321A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SB1320A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:MT-1-A1 標準包裝:1 2SB1316TL 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL 2SB1443TV2Q