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2SB1389.

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2SB1389. 技術參數

2SB1386T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1386T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1383 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 25A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 12A，4V 功率 - 最大值:120W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SB1382 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 8A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SB1375,CLARIONF(M 功能描述:TRANS PNP 3A 60V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:9MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL 2SB1443TV2Q 2SB14460RA 2SB14460SA 2SB1457(T6CANO,F,M 2SB1457(T6CNO,A,F) 2SB1457(T6DW,F,M) 2SB1457(TE6,F,M) 2SB1457,T6TOTOF(J