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2SB1389.

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2SB1389. 技術參數(shù)
  • 2SB1386T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1386T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 100mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1383 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 25A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 24mA,12A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 12A,4V 功率 - 最大值:120W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SB1382 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 16mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 8A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SB1375,CLARIONF(M 功能描述:TRANS PNP 3A 60V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:9MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL 2SB1443TV2Q 2SB14460RA 2SB14460SA 2SB1457(T6CANO,F,M 2SB1457(T6CNO,A,F) 2SB1457(T6DW,F,M) 2SB1457(TE6,F,M) 2SB1457,T6TOTOF(J
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