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2SB1572-HX(HX/36)

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2SB1572-HX(HX/36) 技術參數

2SB1570 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 12A MT200 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-ESIP 供應商器件封裝:MT-200 標準包裝:250 2SB1565FU6E 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FN 標準包裝:500 2SB1561T100Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SB1560 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SB1559 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 8A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 6mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 6A，4V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:65MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L 2SB1679G0L 2SB1689T106 2SB1690KT146 2SB1690TL 2SB169300L 2SB1694T106 2SB1695KT146 2SB1695TL 2SB1697T100 2SB1698T100 2SB169900L 2SB1705TL 2SB1706TL