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2SC3325-O/Y

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2SC3325-O/Y 技術參數

2SC3325-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC3324GRTE85LF 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2SC3324-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2SC33120RA 功能描述:TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SC3311ASA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:290 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SC3332S-AA 2SC3332T 2SC3332T-AA 2SC3356-A 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B-R24-A 2SC3356-T1B-R25-A 2SC3357-A 2SC3357-T1-A 2SC3357-T1-RF-A 2SC3415STPN 2SC3415STPP 2SC3503CSTU 2SC3503DSTU 2SC3503ESTU 2SC3503FSTU 2SC3506 2SC3507