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2SC3332R-AB

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2SC3332R-AB 技術參數

2SC3332R-AA 功能描述:TRANS NPN 0.7A 160V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1,500 2SC3332R 功能描述:TRANS NPN 0.7A 160V 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SSIP 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SC3328-Y,T6CKF(J 功能描述:TRANS NPN 2A 80V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SC3328-Y,HOF(M 功能描述:TRANS NPN 2A 80V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SC3328-O,T6KEHF(M 功能描述:TRANS NPN 2A 80V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體供應商器件封裝:LSTM 標準包裝:1 2SC3357-T1-A 2SC3357-T1-RF-A 2SC3415STPN 2SC3415STPP 2SC3503CSTU 2SC3503DSTU 2SC3503ESTU 2SC3503FSTU 2SC3506 2SC3507 2SC3519 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E