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2SC3356-T1B-A/JMS/NO

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2SC3356-T1B-A/JMS/NO 技術參數
  • 2SC3356-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 2SC3356-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC3332T-AA 功能描述:TRANS NPN 160V 0.7A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 25mA,250mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:700mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1 2SC3332T 功能描述:TRANS NPN 160V 0.7A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 25mA,250mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:700mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SC3332S-AA 功能描述:TRANS NPN 160V 0.7A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):700mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:700mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:3-NP 標準包裝:1,500 2SC3503ESTU 2SC3503FSTU 2SC3506 2SC3507 2SC3519 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E
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