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2SC3374I

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  • 2SC3374IJ-TL
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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 20000

  • HITACHI

  • SOT23-3

  • 2024+

  • -
  • 全國最底價現貨

  • 2SC3374IJ-TL
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  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

    聯系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室

  • 98300

  • HITACHI

  • SOT-23

  • 24+

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  • 原裝,公司部分現貨,有單來談QQ:161...

  • 2SC3374IJ-TL
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • HITACHI

  • SOT23-3

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SC3374IJ-TL
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  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • HITACHI

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 原裝現貨,優勢庫存

  • 2SC3374IJ-TL
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • HITACHI

  • SOT23

  • 03+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品,質量保障

  • 2SC3374IJ-TL
    2SC3374IJ-TL

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

  • HITACHI

  • SOT23-3

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,歡迎訂購

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2SC3374I 技術參數
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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