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2SC4264GCTR-E

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  • 制造商
  • RENESAS
  • 制造商全稱
  • Renesas Technology Corp
  • 功能描述
  • Silicon NPN Epitaxial
2SC4264GCTR-E 技術參數
  • 2SC4228-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4228-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.9dB @ 2GHz 增益:7.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 2SC4227-T1-R34-A 功能描述:SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:新產品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 7mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 2SC4227-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 7mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4227-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 7mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 標準包裝:1 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN 2SC4489S-AN 2SC4489T-AN 2SC4495 2SC4505T100P 2SC4505T100Q
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