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2SC506X-O

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2SC506X-O PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC506X-O 技術參數

2SC5066-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5066-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5065-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5060TV2M 功能描述:TRANS NPN DARL 90V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SC5087YTE85LF 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J