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2SC5084-Y/ROHS

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2SC5084-Y/ROHS 技術參數
  • 2SC5084-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 2SC5071 功能描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1.4A,7A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 7A,4V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SC5066-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5066-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J
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