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2SC5545ZSTR

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2SC5545ZSTR 技術參數
  • 2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:1.7GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 3mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5508-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 2SC5508-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.3V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB @ 2GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:115mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,2V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5606-T1-A 2SC563200L 2SC5632G0L 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E
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