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2SC5692(TE85L,F)

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  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SC5692(TE85L,F)
    2SC5692(TE85L,F)

    2SC5692(TE85L,F)

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • TOSHIBA

  • con

  • 24+

  • -
  • 晶體管

  • 2SC5692(TE85L,F)
    2SC5692(TE85L,F)

    2SC5692(TE85L,F)

  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

    聯系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室

  • 12000

  • TOSHIBA(非存儲器)

  • 雙極晶體管

  • 24+

  • -
  • 原裝,公司部分現貨,有單來談QQ:161...

  • 2SC5692(TE85L,F)
    2SC5692(TE85L,F)

    2SC5692(TE85L,F)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 2107

  • TOSHIBA

  • 2006

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
2SC5692(TE85L,F) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2SC5692(TE85L,F) 技術參數
  • 2SC5663T2L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5662T2LP 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):11V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 5mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:3.2GHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5662T2LN 功能描述:TRANS NPN 11V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):11V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):56 @ 5mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:3.2GHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:8,000 2SC5661T2LP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 4mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:1.5GHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5659T2LP 功能描述:TRANS NPN 25V 0.05A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SC5729T106Q 2SC5729T106R 2SC5730TLQ 2SC5730TLR 2SC5731T100Q 2SC5731T100R 2SC5732TLQ 2SC57390P 2SC5750-A 2SC5750-T1-A 2SC5751-A 2SC5751-T2-A 2SC5752-A 2SC5752-T1-A 2SC5753-A 2SC5753-T2-A 2SC5754-A 2SC5754-T2-A
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