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2SC5758WF

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說明
操作

2SC5758WF-TR-E
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
2100
RENESAS
MFPAK
2013+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

2SC5758WF-TR-E
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3741
RENESAS
MFPAK
2216+
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十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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2SC5758WF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC5758WF 技術參數

2SC5754-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 2SC5754-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5753-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 2SC5753-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5752-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 2SC5846G0L 2SC584800A 2SC58630QL 2SC5865TLQ 2SC5865TLR 2SC5866TLQ 2SC5866TLR 2SC5868TLQ 2SC5868TLR 2SC5876T106Q 2SC5876T106R 2SC5880TV2Q 2SC5880TV2R 2SC5888 2SC5916TLQ 2SC5916TLR 2SC5930(T2MITUM,FM 2SC5930(TPF2,F,M)