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2SC5763M

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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2SC5763M 技術參數
  • 2SC5754-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 100mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 2SC5754-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):5V 頻率 - 躍遷:20GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:735mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 100mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5753-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:SOT-343F 標準包裝:1 2SC5753-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2SC5752-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 30mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 2SC5846G0L 2SC584800A 2SC58630QL 2SC5865TLQ 2SC5865TLR 2SC5866TLQ 2SC5866TLR 2SC5868TLQ 2SC5868TLR 2SC5876T106Q 2SC5876T106R 2SC5880TV2Q 2SC5880TV2R 2SC5888 2SC5916TLQ 2SC5916TLR 2SC5930(T2MITUM,FM 2SC5930(TPF2,F,M)
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